Si(001)外延ZnSe薄膜界面原子的结合与成键

摘要：

基于密度泛函理论的第一性原理计算,通过对Si(001)和氮化Si(001)表面单层Zn/Se原子结合的方式,模拟ZnSe外延薄膜的二维生长模式,从单层原子结合能、界面原子电子得失、共价结合成键的角度解释了Zn/Se原子在衬底表面的黏附性问题,阐述了薄膜生长初期界面无定形Se出现等现象,分析了氮化Si(001)表面对薄膜二维均匀生长的作用,结果显示N的引入缓和了Si衬底的非极性共价结合与ZnSe原子间的极性离子键结合之间的异质差异.

关键词：第一性原理、结合能、共价成键、ZnSe薄膜

所属期刊栏目：28

分类号：O484.1 (固体物理学)

资助基金：教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20050487034

在线出版日期：2009-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：66-70