10.3969/j.issn.1001-2028.2009.08.003
HfO2含量对铌锑锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响
针对Pb(Sb, Nb)O3-Pb(Zr, Ti)O3压电陶瓷制备过程中谐振反谐振频率差值Δf出现的波动现象,利用配料递减称量法,研究了HfO2含量对Pb(Sb0.5Nb0.5)0.08Zr0.50Ti0.42O3+ 1.5%(质量分数)MnO2三元系压电陶瓷的晶相结构、微观形貌和电性能的影响.同时分析了ZrO2原料中HfO2杂质的成因.结果表明:HfO2在该三元系压电陶瓷中属于无害但无用的杂质.通过调整ZrO2配料含量,可以使其Δf控制在合格范围内(7.0~8.0 kHz),而且其他的电性能基本保持不变.
无机非金属材料、ZrO2、HfO2、压电陶瓷、稳定性
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TM282 (电工材料)
2009-09-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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