硫化温度对SnxSy薄膜光电性能的影响

摘要：

用真空热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,分别在硫化温度为210,240和270 ℃的条件下硫化45 min.研究了硫化温度对薄膜样品光学和电学性能的影响.结果显示:随着硫化温度的升高,其电阻率减小; 但薄膜导电类型不受硫化温度的影响,都为p型.当硫化温度为240 ℃时,薄膜为斜方SnS多晶薄膜,沿{111}方向优先生长,其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好,薄膜粒径为200～800 nm,薄膜的直接能带间隙为1.46 eV,电阻率为25.54 Ω·cm.

关键词：SnxSy薄膜、硫化温度、光学性能、电学性能

所属期刊栏目：28

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：教育部留学回国人员科研启动基金资助项目LXKQ0801;福建省科技厅重点资助项目2008I0019;福州大学人才基金资助项目XRC-0736

在线出版日期：2009-06-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：65-68