10.3969/j.issn.1001-2028.2009.05.020
硫化温度对SnxSy薄膜光电性能的影响
用真空热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,分别在硫化温度为210,240和270 ℃的条件下硫化45 min.研究了硫化温度对薄膜样品光学和电学性能的影响.结果显示:随着硫化温度的升高,其电阻率减小; 但薄膜导电类型不受硫化温度的影响,都为p型.当硫化温度为240 ℃时,薄膜为斜方SnS多晶薄膜,沿{111}方向优先生长,其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好,薄膜粒径为200~800 nm,薄膜的直接能带间隙为1.46 eV,电阻率为25.54 Ω·cm.
SnxSy薄膜、硫化温度、光学性能、电学性能
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TN304(半导体技术)
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目LXKQ0801;福建省科技厅重点资助项目2008I0019;福州大学人才基金资助项目XRC-0736
2009-06-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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