10.3969/j.issn.1001-2028.2009.05.012
c轴择优取向AlN薄膜的制备研究
采用MOCVD法在蓝宝石(0001)单晶衬底上生长AlN压电薄膜.用XRD和原子力显微(AFM)技术表征薄膜的微观结构.研究了衬底温度、TMA和NH3流量、反应室气压对AlN薄膜织构特性的影响,并对薄膜生长的工艺参数进行了相应优化.结果表明:在优化条件下制备的AlN薄膜高度c轴择优取向,(0002)峰摇摆曲线半高宽仅为0.10°,且薄膜表面平整,椭圆偏振法测出其折射率为2.0~2.4.
AlN、MOCVD、压电薄膜
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O484.1(固体物理学)
2009-06-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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