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10.3969/j.issn.1001-2028.2009.02.022

VO2薄膜的制备及表征

引用
综述了目前VO2薄膜主要的制备方法(sol-gel法,蒸发法,脉冲激光沉积,溅射法和CVD)及其优缺点;以及X射线技术、光电子能谱、光谱技术、显微技术等表征手段在VO2薄膜研究中的应用.如何方便地获得准确化学计量的VO2,获得结晶性好的薄膜结构以及与基体间具有良好结合力的制备方法,是今后关注的问题.

无机非金属材料、VO2薄膜、综述、制备方法、表征

28

TN304.91 (半导体技术)

四川省科技厅资助项目04JY029?D072?D1

2009-04-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

28

2009,28(2)

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