PNiTa-PZT三元系压电陶瓷性能

摘要：

采用传统陶瓷工艺制备了0.02Pb(Ni1/3Ta2/3)O3+0.98Pb(ZrxTi1-x)O3(x = 0.50～0.55,PNiTa-PZT)三元系压电陶瓷,研究了n(Zr)/n(Ti)变化对陶瓷性能的影响.结果表明:随其比值的变化,陶瓷样品均为钙钛矿结构,且对陶瓷显微结构影响不大;当n(Zr)/n(Ti)为52/48时,陶瓷具有较优的压电、介电性能:kp为0.583,d33为266 pC/N,tC为394 ℃,tanδ为0.005 5,/ε0为1 297.其中tC比目前文献报道的PZT基压电材料高30～50 ℃,有望在高温压电陶瓷领域获得应用.

关键词：无机非金属材料、掺杂量、PNiTa-PZT、居里温度、压电介电性能

所属期刊栏目：28

分类号：TM282(电工材料)

资助基金：贵州省优秀科技教育人才省长专项基金资助项目2005-111;贵州省科技攻关计划资助项目黔科合GY字20063030

在线出版日期：2009-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1-3