混合集成电路金铝键合退化与控制研究动态

摘要：

混合集成电路的两种金铝键合系统,有着不完全相同的两种退化模式.综述了相关的退化机理和控制方法的研究状况.金丝与芯片铝膜的Au/Al键合系统,是键合IMC、Kirkendall空洞导致其界面开裂失效;铝丝与厚膜金导体的Al/Au键合系统,除了界面开裂外,还存在键合根部因铝原子向IMC过度迁移而形成铝丝内部空洞导致铝丝断裂.采用铜丝代替金丝,可有效控制Au/Al键合系统的退化;采用过渡垫片或在金浆料中加入少量Pd,同时减少金导体膜厚度,可有效控制铝丝Al/Au键合系统的退化.

关键词：混合集成电路、综述、Au/Al键合

所属期刊栏目：27

分类号：TN406 (微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2009-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：5-7