Ni颗粒对SnBi焊点电迁移的抑制作用

摘要：

为抑制芯片中微小焊点的电迁移,向共晶SnBi钎料中添加微米级Ni颗粒,并在??0.5 mm铜线接头上形成焊点.结果表明:当电流密度为104 A/cm2、通电96 h后,阳极附近没有出现富Bi层,即电迁移现象得到抑制.这是由于Ni颗粒与Sn形成了IMC,阻挡了Bi沿Sn基体扩散的快速通道,防止了两相分离,提高了焊点可靠性.

关键词：电子技术、电迁移、无铅复合钎料、SnBi、Ni颗粒

所属期刊栏目：27

分类号：TG407 (焊接、金属切割及金属粘接)

在线出版日期：2009-01-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：60-63