直接氮化法制备单晶AlN纳米线

摘要：

采用直流电弧放电装置,通过金属铝和氮气直接反应,在钼阴极上沉积出大量的AlN纳米线.利用XRD、SEM、TEM和拉曼(Raman)光谱对所制样品的结构、形貌和光学特性进行了表征.结果表明:大部分AlN纳米线沿着[001]方向生长,平均直径为45 nm,长度5 μm左右;Raman光谱的峰值与单晶体材料AlN的结果一致,说明AlN纳米线结晶质量较好.

关键词：电子技术、AlN纳米线、半导体材料、直流电弧放电

所属期刊栏目：27

分类号：O471.4(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50772043

在线出版日期：2008-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：78-80