10.3969/j.issn.1001-2028.2008.10.011
Bi2O3掺杂对NiCuZn/PZT复合材料电磁性能的影响
先采用sol-gel法制得Pb0.95Sr0.05(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)纳米粉料,再采用固相反应法制备NiCuZn/PZT铁氧体/陶瓷复合材料.研究了低温烧结助剂Bi2O3掺杂对复合材料显微结构和电磁性能的影响.当w(Bi2O3)为2.5%时,NiCuZn与PZT的质量比为7:3和6:4的两种复合材料在900 ℃下均可实现低温烧结,其烧结体密度均大于5 g/cm3,其中前者的μ′达到27,ε′大于34,而后者的μ′达到16,ε′大于50,均有望制作成不同性能指标的电感、电容双功能材料.
电子技术、NiCuZn/PZT铁氧体/陶瓷、Bi2O3掺杂、低温烧结、电磁性能、显微结构
27
TB332(工程材料学)
国家自然科学杰出青年基金资助项目60425102;科技部国际合作资助项目2006DFA53410
2008-11-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
35-37,40