ZAO膜磁控溅射变参数制备技术

摘要：

采用射频磁控溅射技术生长ZnO:Al(ZAO)薄膜,用X射线衍射仪检测薄膜的结晶质量.为了提高薄膜的生长效率,进行了在生长过程中调整生长参数的试验.结果发现,生长过程中适当地改变参数,不仅可以提高薄膜的生长效率,还可以获得结晶质量更好的薄膜.在工作压强0.35 Pa、溅射功率120 W条件下粗生长后,改变工作压强为0.2 Pa、溅射功率80 W进行细生长,制得的薄膜平均可见光透射率为88%,电阻率为7.8×10-4 Ω·cm.

关键词：无机非金属材料、ZAO薄膜、磁控溅射、变参数

所属期刊栏目：27

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2008-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：77-79