10.3969/j.issn.1001-2028.2008.07.015
sol-gel法制备的ZnO:(Al, La)透明导电膜光电性能
通过X射线衍射、紫外-可见分光光度计、扫描电镜和四探针仪分析等手段,考察了退火温度对ZnO:(Al, La)薄膜微观结构、光学和电学性能的影响,Al掺杂浓度对电阻率的影响.结果表明:随退火温度的升高,薄膜(002)晶面择优取向生长增强,平均晶粒尺寸增大,电阻率降低,透光率上升.在x(Al)为1%,退火温度550 ℃时,薄膜最低电阻率为1.78×10-3 Ω·cm,平均透光率超过85%.
无机非金属材料、ZnO:(Al、La)薄膜、sol-gel法、光电性能
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TQ132.41
2008-08-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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