介电层/PbZr0.4Ti0.6O3/介电层模块的高容量电荷存储

摘要：

基于Landau-Devonshire自由能理论建立了热力学模型,分析了介电/ PbZr0.4Ti0.6O3/介电三层结构的临界厚度分数与介电层介电常数的关系,进而得出电荷存储容量.结果表明:当介电层厚度所占比例达到临界值时,具有较高的电荷存储容量.介电层的εr越大,介电层临界厚度分数λm越大,平均介电响应越小,内电场诱导的介电层极化强度越大.对于SiO2/ PbZr0.4Ti0.6O3/SiO2其λm约0.37%,介电响应约-2.42×104.

关键词：无机非金属材料、铁电薄膜、电荷存储容量、理论模拟、介电响应

所属期刊栏目：27

分类号：TM282 (电工材料)

资助基金："973" 前期研究专项资助项目2007CB16910;国家自然科学基金资助项目50572021;河北省自然科学基金资助项目E2005000130;国家人事部留学人员择优资助项目G05-06;教育部留学回国人员科研启动基金资助项目2005-546

在线出版日期：2008-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：69-71