10.3969/j.issn.1001-2028.2008.06.019
退火工艺对La-Nb共掺杂Bi4Ti3O12薄膜结构的影响
采用sol-gel法制备了Si基Bi3.25La0.75Ti2.94Nb0.06O12.03(BLTN)铁电薄膜,研究了退火温度、升温速率和退火时间对BLTN薄膜微观结构的影响.结果表明:制备的BLTN薄膜具有单一的钙钛矿结构,且为随机取向,表面平整致密;退火温度由550 ℃升高到750 ℃时,薄膜的衍射峰强度增强,晶粒尺寸由65 nm增大到110 nm;退火升温速率由10 ℃/min提高为20 ℃/min时,薄膜的晶化程度降低;退火时间对薄膜的晶相结构影响不大,但时间超过30 min会造成薄膜表面孔洞增多、致密性下降.
无机非金属材料、铁电薄膜、BLTN、微观结构、退火温度、升温速率、退火时间
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TM282 (电工材料)
国家自然科学基金资助项目50262001
2008-07-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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