10.3969/j.issn.1001-2028.2008.06.018
NdFeB永磁靶材溅射模拟
运用SRIM2006软件对Nd2Fe14B靶溅射过程进行了模拟,并就入射离子的入射能量和角度进行了分析,得到溅射产额与入射离子能量、入射角度以及溅射靶材的一般规律:1)溅射产额随着入射离子能量的增加而增加,在低能量区域增加很快,到了高能量区域增加变缓;2)溅射产额随着入射离子入射角度的增大逐渐增大,且在70°~80°出现极大值,如当入射离子的入射角度为75°,入射离子能量为7 keV时,溅射产额可达4.398(原子·离子-1);3)溅射原子的摩尔比与靶材原子摩尔比存在一定偏差,导致薄膜成分与靶材成分不一致.
电子技术、Nd2Fe14B永磁靶、溅射、模拟
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O484 (固体物理学)
山西省自然科学基金资助项目20021067
2008-07-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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