K+对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

摘要：

采用传统的陶瓷工艺,制备了ZnO压敏陶瓷.研究了K+掺杂量对ZnO压敏陶瓷电性能的影响.结果表明:当x(K+)小于40×10-6时,对其电性能几乎没有影响;但若x(K+)超过60×10-6后,由于K+在晶界和三角区的大量偏析,破坏了晶界层的稳定,导致其浪涌电流耐受能力严重劣化.

关键词：电子技术、氧化锌压敏陶瓷、K+掺杂、电性能、晶界

所属期刊栏目：27

分类号：TM34 (电机)

在线出版日期：2008-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：42-44