碳纳米管薄膜的电泳沉积与场发射性能

摘要：

采用电泳法在Si基片上沉积碳纳米管(CNTs)薄膜.研究了电泳极间距、电泳时间及电泳电压等对沉积的薄膜形貌结构与场发射性能的影响.SEM、高倍光学显微镜和场发射性能测试结果表明,保持阴阳极间距为2 cm,在100 V的直流电压下电泳2 min所获得的CNTs薄膜均匀、连续、致密且具有最好的场发射性能,其开启电场强度仅为1.19 V/μm,当外加电场强度为2.83 V/μm时,所获得的最大发射电流密度可达14.23×10-3 A/cm2.

关键词：电子技术、碳纳米管薄膜、场发射、电泳沉积

所属期刊栏目：27

分类号：O462.4;TB383 (真空电子学（电子物理学）)

资助基金：天津市自然科学基金05YFJZJC00200

在线出版日期：2008-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：12-14