10.3969/j.issn.1001-2028.2008.03.010
多弧离子镀制备高比电容铝箔的研究
通过控制乙炔与氮气流量比和冷却方式,采用多弧等离子体辅助物理气相沉积法(PVD),制备了不同比电容的TiCN涂层铝箔,借助比容测试仪、发射扫描电镜、X射线衍射分析仪及电子探针等,检测其比电容及显微形貌、晶体结构和化学成分.结果表明,PVD法可以获得高比电容铝箔(1 674×10-6 F/cm2);采用液氮快速冷却方式可以获得非晶态的TiCN纳米涂层,比电容比随炉冷却的约提高两倍;乙炔和氮气体积流量比为1:1较之1:0.5时,铝箔的比电容提高1.5~2.5倍.
电子技术、PVD、铝箔、比电容、TiCN涂层
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TG174.444(金属学与热处理)
2008-05-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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