10.3969/j.issn.1001-2028.2008.01.010
Sn4+替代Nb5+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷性能的影响
采用固相反应法制备了Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7(BZN)微波陶瓷,并借助XRD、SEM及LCR4284测试仪,研究了Sn4+取代Nb5+对BZN陶瓷显微结构和介电性能的影响.结果表明:随着Sn4+替代量的增加,微观形貌中出现棒晶;选取20~80℃,100 kHz时的εr计算,介电常数温度系数由205×10-6/℃逐渐减小到-240×10-6/℃;当替代量x(Sn4+)为0.16时,样品出现介电弛豫现象;随着测试频率的增加,介电弛豫峰向高温移动.
无机非金属材料、Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷、介电弛豫、介电性能
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TM28(电工材料)
四川省教育厅资助项目2006C025
2008-04-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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