ZrW2O8/E-51电子封装材料电学性能研究

摘要：

采用具有负热膨胀特性的ZrW2O8粉体和SiO2粉体分别作为填料制备E-51环氧树脂电子封装材料.测试了填料对封装材料的相对介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能的影响.结果表明:在相同含量下,ZrW2O8填料效果好;随ZrW2O8量的增加,介质损耗不断减小,ZrW2O8与E-51的质量比为0.7:1时,相对介电常数最大;在室温～163 ℃范围内,ZrW2O8/ E-51的电阻率稳定在3.03×106 Ω·m,电击穿场强均大于10 kV/m.

关键词：电子技术、电子封装材料、环氧树脂、ZrW2O8、电学性能

所属期刊栏目：26

分类号：TM21(电工材料)

资助基金：江苏省高科技项目BG2004026;江苏省教育厅科研项目KJD430042

在线出版日期：2008-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：47-49