高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片工艺研究

摘要：

为制备用于硅溶片工艺的高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片,对扩散掺杂工艺进行了研究.结合预淀积和再分布两种条件下扩散的特点,采用两步法工艺制备了高浓度硼深扩散硅片,研究了影响杂质浓度和扩散深度的再分布与预淀积时间比.扩散所得硅片的测试结果与理论计算相当吻合,当再分布与预淀积时间比为1.5倍时,扩散结深为21.7 μm,自停止腐蚀层为14 μm.

关键词：电子技术、MEMS、体硅溶片工艺、高浓度硼深扩散、自停止腐蚀、预淀积、再分布

所属期刊栏目：26

分类号：TH212(起重机械与运输机械)

在线出版日期：2007-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：59-61