10.3969/j.issn.1001-2028.2007.08.008
中高压电子铝箔腐蚀系数的研究
分析比较了基于矩形凹槽模型、圆孔隧道模型、正立方孔隧道模型计算出的中、高压电子铝箔腐蚀系数与KDK公司(H100)形成箔实际腐蚀系数的关系.结果表明:中、高压电子铝箔真实理论极限腐蚀系数应介于正立方孔-圆孔理论极限腐蚀系数之间.中压电子铝箔(220~485 V)通过电蚀扩面提高化成箔比电容余地还很大,高压电子铝箔(>485 V)的实际腐蚀系数与理论极限腐蚀系数已经很接近,通过电蚀扩面提高比电容的余地较小.
电子技术、腐蚀系数、电蚀、电子铝箔、铝电解电容器、比电容
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TM535 (电器)
北京市教委共建项目SYS100080419
2007-09-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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