10.3969/j.issn.1001-2028.2007.08.003
低温多晶硅薄膜制备技术应用进展
系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展.对不同制备工艺的优势和不足进行了比较,重点讨论了Cat-CVD和ICP-CVD在实用化中需克服的技术问题.对上述制备方法的应用前景作了评述和展望.
半导体技术、低温多晶硅薄膜、综述、金属诱导横向晶化、准分子激光晶化、触媒化学气相沉积、电感耦合等离子体化学气相沉积
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TN304 (半导体技术)
四川省应用基础研究计划04JY029-104
2007-09-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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