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10.3969/j.issn.1001-2028.2007.07.014

缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜材料性能的影响

引用
采用丝网印刷的方法制备了PMS-PNN-PZT四元系压电厚膜陶瓷材料.研究了基板、下电极和PMS-PNN-PZT厚膜层三者之间的高温扩散作用,探讨了SiO2作为缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜的压电性能以及显微结构的影响.用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及压电层的显微结构.结果表明,缓冲层有效地阻止了三者之间的相互扩散,样品的d33、εr等都有所提高,所制得的压电厚膜d33为285 pC/N,εr为1 210,Qm为1 330,Kp为0.54.

无机非金属材料、PMS-PNN-PZT、压电厚膜、缓冲层、扩散

26

TM282 (电工材料)

济南市科学技术发展计划046039

2007-07-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

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1001-2028

51-1241/TN

26

2007,26(7)

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