低漏电流聚吡咯铝电解电容器的研制

摘要：

采用化学氧化聚合法在铝箔上原位聚合聚吡咯阴极层,研究了不同氧化剂、4-硝基酞酸加入方式对聚吡咯电容器性能的影响.结果表明:添加4-硝基酞酸明显降低了电容器的漏电流,制备出tan δ为0.012(100 Hz),IL小于0.8 μA,且具有良好频率特性的固体片式铝电解电容器.

关键词：电子技术、聚吡咯、化学聚合、固体铝电解电容器、漏电流

所属期刊栏目：26

分类号：TM535 (电器)

资助基金：国家科技型中小企业技术创新基金05C26113500892

在线出版日期：2007-07-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：38-41