直流电沉积制备一维ZnSe半导体纳米材料

摘要：

用二次阳极氧化法制备了多孔阳极氧化铝(AAO)模板.以AAO为模板,在ZnSO4、Na2SO4和H2SeO3的混合水溶液中进行直流电沉积了ZnSe半导体纳米线.SPM、TEM测试表明,模板表面形成模孔大小一致、排列规则的阵列.ZnSe纳米线的直径约为60 nm,长度约为0.5 μm并与模板的孔径和深度一致.在制备过程中,无需去除AAO的基底,喷金或预镀金属等处理,直接在AAO纳米孔内电沉积,制备纳米线.该方法简单、有效并且容易获得有序的半导体纳米线阵列.

关键词：半导体技术、模板、直流电沉积、半导体纳米线阵列

所属期刊栏目：26

分类号：O471.4 (半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10064066;云南大学校科研和教改项目2004Q008A

在线出版日期：2007-07-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：14-16