10.3969/j.issn.1001-2028.2007.06.013
sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻
利用sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上,制备掺有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜压敏电阻.薄膜由旋涂法制备,并在300 ℃下预处理、600 ℃退火.制得的ZnO薄膜结晶良好.膜厚约为1 μm,ZnO薄膜压敏电阻的非线性系数为15.1,压敏电压为3.037 V,漏电流为43.25 μA.
电子技术、sol-gel法、ZnO薄膜压敏电阻、掺杂、压敏性能
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TM283(电工材料)
国家自然科学基金60390073
2007-07-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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