液相生长热氧化法制备SnO2气体敏感薄膜

摘要：

在不同的热氧化温度下,用液相生长热氧化法(RGTO)制备了SnO2薄膜.探讨了热氧化温度对SnO2薄膜结构和成分的影响,并进一步研究了不同热氧化温度下制备的SnO2薄膜的气敏性能.测试结果表明:260 ℃工作温度下,600 ℃热氧化制备的SnO2薄膜气敏元件,对氢气的灵敏度最佳.在100～1 000 mg·kg-1的氢气浓度范围内,灵敏度由47递增至70.

关键词：电子技术、SnO2、RGTO、薄膜、气敏

所属期刊栏目：26

分类号：O.472

资助基金：北京有色金属研究总院技术创新基金C-04-3-82248

在线出版日期：2007-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：14-17