铌硅锰非均匀形核表面淀积掺杂PTC陶瓷

摘要：

采用非均匀形核表面淀积法,在水热钛酸钡纳米晶粉体表面包覆Nb、Si、Mn,实现了Nb、Si、Mn与钛酸钡(BT)粉体的均匀混合.研究了掺杂量和烧结制度对PTC陶瓷性能的影响.结果表明,通过表面包覆工艺进行Nb掺杂的BT,在1 220 ℃已半导化,在1 250 ℃烧结的x(Nb)为0.18 %的BT陶瓷,其ρ25为4.3 Ω·cm,β为1.7.通过控制冷却速率,可以改变陶瓷的升阻比(β).1 260 ℃烧结的Nb、Si、Mn掺杂BT陶瓷的ρ25为8.5 Ω·cm、β比单纯Nb掺杂提高至4.9.

关键词：电子技术、铌硅锰、非均匀形核、表面淀积、PTC陶瓷

所属期刊栏目：26

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：广东省自然科学基金020951

在线出版日期：2007-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：7-10