掺氟二氧化锡纳米粉的制备及电性能研究

摘要：

以SnCl2·2H2O、HF为原料,采用共沉淀法合成了掺氟二氧化锡FTO (SnO2:F)纳米粉.在氧化的过程中进行掺杂,使F原子更容易取代O原子,在400 ℃低温下蒸发得到了低电阻率的FTO纳米粉.应用SEM、XRD、EDS和压片测电阻等方法,对所获粉体进行了表征.结果表明,F的掺杂明显降低了SnO2的电阻率.当r (Sn:F)为10:3时,FTO纳米粉的电阻率最低,为57.2Ω/cm.

关键词：半导体技术、掺氟二氧化锡、纳米粉、低电阻率、共沉淀法

所属期刊栏目：26

分类号：TB43 (工业通用技术与设备)

资助基金：湖北省纳米专项基金20041003068-09

在线出版日期：2007-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：34-36