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10.3969/j.issn.1001-2028.2007.02.012

新型低插损的铁电移相材料

引用
实验研究了Bi2O3掺杂量对钛酸锶钡/氧化镁复合体系介电常数、介质损耗等性能的影响.结果表明控制掺杂Bi2O3质量分数在0.25 %左右时,Ku频段f在12~18 GHz,εr为170左右,tan δ为0.01左右,材料的电性能得到大大的改善,满足了雷达移相器的应用要求.

无机非金属材料、氧化铋、BST、铁电材料、移相器

26

TM2(电工材料)

国防预研基金

2007-03-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

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电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

26

2007,26(2)

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