制备工艺对ZnO薄膜的结构与光学性质的影响

摘要：

利用射频磁控反应溅射技术生长出具有高度晶面(0002)取向的ZnO外延薄膜.通过AFM、XRD、吸收光谱和荧光光谱等测试手段,分别研究分析了不同衬底、不同溅射气氛和退火对ZnO薄膜结构及光学性质的影响.研究表明,在200 ℃低温生长的硅基ZnO薄膜具有几百纳米的氧化锌准六角结构外形;当氧氩比为4:1(质量流量比)时,吸收谱激子峰最佳;退火后,激子峰(363 nm)加强,同时出现了402 nm的本征氧空位紫光发射.

关键词：半导体技术、射频磁控反应溅射、ZnO外延薄膜、光致发光

所属期刊栏目：26

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2004CB719804;广东省自然科学基金04011770;广东省江门市科技攻关项目江财企200459

在线出版日期：2007-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23