10.3969/j.issn.1001-2028.2007.01.015
AZO透明导电薄膜的结构与光电性能
采用射频溅射工艺制备了Zn1-xAlxO透明导电薄膜.通过XRD、UV透射和电学性能测试等分析手段,研究了Al浓度对薄膜的组织结构和光电性能的影响规律.结果表明:薄膜具有c轴择优取向,随着Al浓度的增加,(002)衍射峰向高角度移动,峰强度逐渐减弱,x(Al)为15%掺杂极限浓度.x(Al)为2%时,薄膜电阻率是3.4×10-4Ω·cm.随着掺杂量x(Al)从0增加到20%,薄膜的禁带宽度从3.34 eV增加到4.0 eV.
无机非金属材料、AZO薄膜、组织结构、光电性能
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O4(物理学)
国家自然科学基金60390073;国家预研基金ZJ0508;四川省应用项目JY0290681
2007-03-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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