ULSI用氟化类金刚石薄膜的研究

摘要：

以CF4和CH4为源气体,用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜.采用FTIR仪、XPS对样品进行了测试、分析.结果表明,在薄膜内主要含有C-Fx(x=1,2,3)、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C==C化学键;薄膜的εr为2.07～2.65.εr与膜内F的相对浓度有关,随着沉积功率的增大,膜内F、H的含量均降低,εr升高.

关键词：半导体技术、氟化类金刚石薄膜、沉积功率、介电常数

所属期刊栏目：26

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：湖南省自然科学基金05JJ40135

在线出版日期：2007-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：30-32