恒温磁力搅拌下KOH刻蚀Si的研究

摘要：

采用恒温磁力搅拌的方法,在KOH溶液中湿法刻蚀Si.在掩模层为SiO2时,研,究了刻蚀速率随KOH浓度与温度的变化关系.结果表明:在110 ℃、30 %的KOH溶液下,刻蚀Si(100)可以得到4.0 μm/min的刻蚀速率,Si(100): SiO2的刻蚀速率比为550:1,Si(100): Si(111)的刻蚀速率比为90:1,而且可以得到光滑的刻蚀表面与形状.

关键词：电子技术、MEMS、湿法刻蚀、KOH、温度

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分类号：TN304.1+2 (半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60272001;北京市传感技术中心重点实验室开放课题53053004;北京市自然科学基金4032010

在线出版日期：2007-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：41-43,46