10.3969/j.issn.1001-2028.2006.11.013
化学镀Ni-P在纯锡凸点的应用及界面研究
采用化学镀Ni-P作UBM阻挡层,利用电镀的方法制备了面阵列和周边排布的无铅纯锡凸点,凸点高度为85±2 μm,一致性良好.研究了不同回流温度下纯锡焊球的剪切强度、断裂模式和与Ni-P层反应生成的金属间化合物.结果表明,纯锡凸点回流时与Ni-P生成针状Ni3Sn4,凸点剪切强度达到92 MPa以上.剪切断裂为韧性断裂,随着回流温度提高及回流时间延长,Ni3Sn4相由针状向块状转变,Ni-P层与Ni3Sn4层间生成层状Ni3P相,粗化的Ni3Sn4相受压应力向焊球内部脱落.
半导体技术、化学镀Ni-P、纯锡凸点、高温回流、Ni3Sn4金属间化合物
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TN3(半导体技术)
2006-12-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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