10.3969/j.issn.1001-2028.2006.11.004
氧化热处理SrTiO3压敏电阻的电容弥散频率
经测量氧化热处理后SrTiO3压敏电阻的电容频率和复阻抗,结果表明:升高热处理温度提高压敏电压时,电容弥散频率显著降低,晶粒电阻明显增大.由电容频谱曲线的主要特征判断,界面驰豫极化机制主导这一电容弥散区.界面驰豫方程确定的特征驰豫时间和电容弥散频率计算式,与晶粒和晶界的电物理参数相关,弥散频率的计算值与实验结果定性相符.热处理温度升高使氧过度向晶粒体内扩散,导致晶粒电阻明显增大,是弥散频率降低的主要原因.
电子技术、SrTiO3压敏电阻、电容弥散频率、界面驰豫极化、氧化热处理
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TN394.93(半导体技术)
广东省广州市科技攻关项目2002JI-C0191
2006-12-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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