氧化热处理SrTiO3压敏电阻的电容弥散频率

摘要：

经测量氧化热处理后SrTiO3压敏电阻的电容频率和复阻抗,结果表明:升高热处理温度提高压敏电压时,电容弥散频率显著降低,晶粒电阻明显增大.由电容频谱曲线的主要特征判断,界面驰豫极化机制主导这一电容弥散区.界面驰豫方程确定的特征驰豫时间和电容弥散频率计算式,与晶粒和晶界的电物理参数相关,弥散频率的计算值与实验结果定性相符.热处理温度升高使氧过度向晶粒体内扩散,导致晶粒电阻明显增大,是弥散频率降低的主要原因.

关键词：电子技术、SrTiO3压敏电阻、电容弥散频率、界面驰豫极化、氧化热处理

所属期刊栏目：25

分类号：TN394.93(半导体技术)

资助基金：广东省广州市科技攻关项目2002JI-C0191

在线出版日期：2006-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：11-14