MgSiO3掺杂对ZnO压敏电阻器电学性质的影响

摘要：

采用传统陶瓷工艺制备了MgSiO3掺杂的防雷用ZnO压敏电阻.实验发现,掺杂0.04%的MgSiO3(物质的量)能显著提高其电流–电压非线性、通流能力和电压梯度E1.0,且能降低样品的漏电流IL以及残压比V40kA/V1mA.其非线性系数α和压敏电压梯度分别高达120,180 V/mm,样品正反面各五次通流40 kA、8/20μs波后,残压比和压敏电压变化率△V1mA/V1mA分别仅为2.56和-2.9%,且漏电流变化很小.对样品的微观结构分析显示,其电学性能的提高和晶粒的均匀程度有关.

关键词：电子技术、氧化锌、压敏电阻、电学非线性、残压比

所属期刊栏目：25

分类号：TN379 (半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50572056;山东省自然科学基金Z2003F04

在线出版日期：2006-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：19-21