B2O3掺杂对Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO陶瓷介电性能的影响

摘要：

采用XRD和SEM对B2O3掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO(简称为BSTM)陶瓷致密化行为和介电性能进行了研究.结果表明:掺杂适量B2O3可明显降低BSTM陶瓷的烧结温度,在1 480℃时即可烧结致密化,比未掺杂的BSTM陶瓷烧结温度降低70℃;掺杂量不同,则B2O3在陶瓷体中的存在形式不同,引起其介电性能相应变化;1 480℃下烧结,B2O3掺杂量为0.8%(质量分数)时,10 kHz下测得试样的εr为138,tanδ为0.003 4,εr可调率达12.6%(3 MV/m),性能有所提高.

关键词：无机非金属材料、钛酸锶钡、氧化镁、氧化硼、铁电材料、相控阵天线

所属期刊栏目：25

分类号：TN304 (半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划60271021

在线出版日期：2006-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：16-18