同质缓冲层对ZnO薄膜光学性质的影响

摘要：

利用射频磁控溅射技术,在单晶硅衬底上生长出高质量(0002)晶面取向的ZnO外延薄膜.通过XRD、AFM、吸收光谱、光致荧光发光谱的实验研究,发现加入适当厚度的、低温生长的ZnO同质缓冲层,可有效降低晶格失配和因热膨胀系数不同引起的晶格畸变.在衬底温度200℃、沉积时间5 min的ZnO缓冲层上,以450℃衬底温度溅射ZnO薄膜主层,得到的ZnO样品的晶体结构、表面形貌和光学性质均有较明显的改善.

关键词：半导体技术、射频磁控溅射、ZnO薄膜、同质缓冲层、PL谱

所属期刊栏目：25

分类号：O472.3;TB383(半导体物理学)

资助基金：广东省自然科学基金04011770;广东省江门市科技计划江财企2004.59号

在线出版日期：2006-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：48-51