RF溅射ZnO薄膜工艺与结构研究

摘要：

通过RF磁控溅射在Si(100)基片上制备了ZnO薄膜,并研究了磁控溅射中各生长参数,如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对ZnO薄膜微结构、表面形貌与结晶取向的影响.结果表明:溅射温度和氧分压对薄膜的微结构与择优取向有很大的影响,并对不同的溅射工艺进行了分析比较,从而确定了最佳溅射及后处理条件:RF溅射温度小于300℃,功率为50 W,ψ(Ar:O2)为20:5,退火温度550～600℃,并获得了c轴择优取向的ZnO薄膜.

关键词：无机非金属材料、ZnO薄膜、RF磁控溅射、氧分压、择优取向

所属期刊栏目：25

分类号：N304.2;O484.1;TB43

资助基金：国家研究发展基金5130Z02

在线出版日期：2006-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-38