10.3969/j.issn.1001-2028.2006.06.018
苯基单分子器件I-V特性的研究
采用紧束缚近似的方法,研究了由单苯基分子构成的三端器件的I-V特性.所得结果近似表现出了MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)器件的电学规律;同时模拟并讨论了该器件的I-V特性随温度变化的规律,发现:电流幅值随门电压的增大而增加,温度对电流幅值有重要影响.所得结论为分子器件和纳米器件的开发,提供了理论基础.
电子技术、紧束缚近似、模拟、分子器件、I-V特性
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TN303(半导体技术)
2006-06-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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