10.3969/j.issn.1001-2028.2006.06.004
Zn掺杂对BST薄膜介电调谐性能的影响
用sol-gel法在Pt/SiO2/Si基片上制备了未掺杂和掺杂Zn的钛酸锶钡(BST)薄膜.用XRD对BST薄膜进行了物相分析,研究了Zn掺杂对薄膜的表面形貌和介电调谐性能的影响.结果表明:室温下,随着Zn加入量的增加,BST薄膜的介电常数减小,介质损耗降低,介电调谐量增加.x(Zn)为0.025的BST薄膜具有最大的优越因子(FOM),其值为29.28.
无机非金属材料、BST薄膜、掺杂、退火、介电性能、sol-gel
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TM22(电工材料)
国家自然科学基金60244003
2006-06-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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