Zn掺杂对BST薄膜介电调谐性能的影响
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1001-2028.2006.06.004

Zn掺杂对BST薄膜介电调谐性能的影响

引用
用sol-gel法在Pt/SiO2/Si基片上制备了未掺杂和掺杂Zn的钛酸锶钡(BST)薄膜.用XRD对BST薄膜进行了物相分析,研究了Zn掺杂对薄膜的表面形貌和介电调谐性能的影响.结果表明:室温下,随着Zn加入量的增加,BST薄膜的介电常数减小,介质损耗降低,介电调谐量增加.x(Zn)为0.025的BST薄膜具有最大的优越因子(FOM),其值为29.28.

无机非金属材料、BST薄膜、掺杂、退火、介电性能、sol-gel

25

TM22(电工材料)

国家自然科学基金60244003

2006-06-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

13-15

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

25

2006,25(6)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn