氧化锌p型共掺杂精细结构的第一性原理研究

摘要：

计算了ZnO材料p型掺杂精细结构,分析了p型掺杂ZnO晶体的电子结构、电荷布局、电子态密度、差分电荷.所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一原理平面波超软赝势方法.计算结果表明:掺杂Ⅴ族元素(N、P、As、In)的氧化锌材料在能隙中引入了深受主能级,载流子(空穴)局域于价带顶附近.而利用加入激活施主的共掺杂技术的计算结果却表明,受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级.同时,受主能级带变宽,非局域化特征明显.

关键词：半导体技术、氧化锌、共掺杂技术、第一性原理、p型、电子结构

所属期刊栏目：25

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目60472068;10271093

在线出版日期：2006-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：31-35,38