10.3969/j.issn.1001-2028.2006.05.005
间歇溅射和分段冷却对ZnO薄膜结构的影响
用超高真空射频磁控溅射技术制备了高c轴取向的ZnO薄膜,并用XRD和SEM研究了溅射和冷却方式对ZnO薄膜结构性能和工艺性能的影响.结果表明:与连续溅射相比,间歇溅射可以降低ZnO(002)的晶面间距,晶粒长大致密化,随着间歇时间的延长,薄膜的自优化程度增加;与连续冷却相比,分段冷却对ZnO薄膜的质量影响不大,但可将薄膜的冷却时间,从2.5~3 h缩短至1.5 h左右,从而提高了薄膜的制备速率.
半导体技术、ZnO薄膜、间歇溅射、分段冷却
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TB3(工程材料学)
国家重点实验室基金0102
2006-06-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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