10.3969/j.issn.1001-2028.2006.02.015
ITO玻璃衬底上PLZT铁电薄膜的制备与电性能
用sol-gel法在掺Sn的In2O3导电透明膜(ITO)衬底上,制备了La 掺杂的PbZr0.5Ti0.5O3 (PLZT)铁电薄膜.研究了La掺杂量对薄膜的铁电、介电和漏电性质的影响.结果表明,x(La)为5%的PLZT薄膜经650℃退火,有优良的铁电特性, 外加15 V 电压下, 剩余极化强度为35.4×10-6 C/cm2, 矫顽场强为111×103 V/cm.100 kHz 时的εr和tgδ分别为984和0.13.在外加电场小于9 V时,薄膜的漏电流密度不超过10-8 A/cm2.
无机非金属材料、PLZT铁电薄膜、掺锡氧化铟、sol-gel法、电学性质
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TN304.9 (半导体技术)
国家科技攻关项目2003BA310A28
2006-03-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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