ITO玻璃衬底上PLZT铁电薄膜的制备与电性能
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1001-2028.2006.02.015

ITO玻璃衬底上PLZT铁电薄膜的制备与电性能

引用
用sol-gel法在掺Sn的In2O3导电透明膜(ITO)衬底上,制备了La 掺杂的PbZr0.5Ti0.5O3 (PLZT)铁电薄膜.研究了La掺杂量对薄膜的铁电、介电和漏电性质的影响.结果表明,x(La)为5%的PLZT薄膜经650℃退火,有优良的铁电特性, 外加15 V 电压下, 剩余极化强度为35.4×10-6 C/cm2, 矫顽场强为111×103 V/cm.100 kHz 时的εr和tgδ分别为984和0.13.在外加电场小于9 V时,薄膜的漏电流密度不超过10-8 A/cm2.

无机非金属材料、PLZT铁电薄膜、掺锡氧化铟、sol-gel法、电学性质

25

TN304.9 (半导体技术)

国家科技攻关项目2003BA310A28

2006-03-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

48-51

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

25

2006,25(2)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn