金纳米粒子LB单层膜的制备及其I-V特性

摘要：

在不同条件下采用LB技术制备了金纳米粒子单层膜,并利用SEM对所得到的薄膜的表面形貌进行表征.结果表明决定薄膜质量的关键因素是表面压.将表面压控制在22～26 mN/m的范围内以较慢的拉膜速度在Si(100)基底上进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜.在室温下测量两点之间单层膜的I-V特性,得到了非欧姆特性,这是由电子在电场作用下发生隧穿产生的.

关键词：电子技术、金纳米粒子、LB技术、扫描电子显微镜(SEM)、I-V曲线

所属期刊栏目：25

分类号：O621.25;TB43;TN16 (有机化学)

资助基金：科技部科研项目2006CB300406;中国科学院资助项目50272039;上海市科委资助项目03DZ14025;上海市科委资助项目0452nm056

在线出版日期：2006-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：18-21