PLT晶种层对PLZT薄膜介电性能的影响

摘要：

采用sol-gel工艺,以钛酸铅镧(PLT)作为晶种层,在Pt/TiO2/Si基板上,制备了锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜.研究了有晶种层的PLZT薄膜的结晶温度及介电性能.结果表明:引入PLT晶种层的PLZT薄膜,在600℃热处理可得到良好的钙钛矿结构,比无晶种层薄膜降低了约100℃;其相对介电常数为1 177(1 kHz),提高约60%,介质损耗为0.10～0.13,降低幅度最高可达40%～50%.

关键词：无机非金属材料、锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜、sol-gel工艺、钛酸铅镧晶种层、介电性能

所属期刊栏目：25

分类号：TN384 (半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目50072018;国家重点基础研究发展计划973计划2003CCA03300

在线出版日期：2006-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：11-14