10.3969/j.issn.1001-2028.2005.12.015
叠层片式ZnO压敏电阻器配方研究
研究了以ZnO-Bi2O3-SiO2系为基础,适当添加Co、Mn、Sb、Cr、Ni等金属氧化物的叠层片式ZnO压敏电阻器配方.通过严格控制Bi2O3及SiO2的含量,较好地解决了瓷料与银鈀内电极的共烧问题,且电性能优良.其瓷料的特点是烧结温度低(<1 050℃),产品非线性系数高(≥25),泄漏电流小(<5 μA),限制电压低(V1A / V1mA<1.70),通流能量大(≥1 800 A/cm2).
电子技术、叠层片式压敏电阻器、ZnO-Bi2O3-SiO2系、配方、性能、研究
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TN304.93 (半导体技术)
2005-12-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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