硼硅对BST薄膜结构和性能的影响

摘要：

用sol-gel法制备0.5 mol/L钛酸锶钡(Ba0.7Sr0.3TiO3)前驱溶液,并在其中加入硼、硅成功地制备了室温下具有优良铁电性质的BSTS薄膜.XRD及DSC分析显示,BSTS薄膜呈现钙钛矿结构.测试结果表明,随着硼、硅的加入量增加,其εr和tgδ明显降低.当硼、硅的加入量小于10 mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的低,当硼、硅的加入量大于15 mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的高.

关键词：无机非金属材料、BSTS薄膜、sol-gel法、硼硅掺杂、介电常数、介质损耗

所属期刊栏目：24

分类号：TN384 (半导体技术)

资助基金：科技部科研项目2002CB613302;2002CB613304;国家高技术研究发展计划863计划2001AA325110;上海市学科科研项目

在线出版日期：2005-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：32-34